谷歌将于今年晚些时候推出 Pixel 10 系列及 Tensor G5 芯片，这将是该公司首次从三星转向台积电，大规模生产其高端芯片组。鉴于这家韩国代工厂在提升 3nm GAA 工艺良率方面举步维艰，谷歌寻求替代方案只是时间问题，但情况并非一直如此 ...

gaa纳米片晶体管在提高密度的同时，提供了功率和性能优势，但它们仅用于最尖端的工艺节点。 目前，全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。

三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情，只是表示，GAA 架构改进了静电特性，从而提高了性能并降低了功耗，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸进一步微缩更有可能性。

据外媒披露，三星电子业务支援特别工作组与三星全球研究院已联合制定2纳米GAA良率提升战略。据信息显示，三星聚焦该制程的主因是客户未来两至三年将持续采用该技术。投资2纳米以下工艺风险极高，而三星2纳米GAA节点已取得实质性突破，有望借此技术实现市场反攻 ...

IT之家 7 月 7 日消息，三星一直致力于通过其先进的制造工艺吸引客户，但这一努力面临重重困难，这不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到 2026 年，还使得该公司 1.4 纳米工艺的推进受阻，因为三星正在全力提升 2 纳米环绕栅极（GAA）技术的良率 ...

首先，gaa晶体管解决了许多有关泄漏电流的挑战，因为gaa通道采用水平架构。 GAA技术堆栈多个水平纳米片或纳米线，并在每一侧面以栅极材料包围这些通道，因而实现了比FinFET更高的载流能力——FinFET需要将多个垂直「鳍片」(fin)彼此并排放置以增加电流。

三星近年来持续通过先进制造工艺争取客户，但这一进程遭遇了不小的挑战。这些困难不仅使得其位于泰勒的工厂投产时间延后至2026年，也影响到了1.4纳米工艺的研发进展，原因在于公司正集中资源提升2纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。

据报道，三星电子商业支持特别工作组和三星全球研究院正在推进提升 2 纳米 GAA 良率的战略。消息人士 @Jukanlosreve 在 X 平台上发布了详细信息，指出三星对这一光刻技术的关注主要源于客户对半导体的需求，这些客户可能在未来两到三年内继续依赖这项技术。投资于 2 纳米以下的工艺存在较高风险，但三星在 2 纳米 GAA ...

gaa制程技术是芯片微影技术的一项重要里程碑，随着美国和世界其他地方前所未有的晶圆厂扩建潮，该技术可能变得更加重要。先进半导体制造领域的三家大厂——台积电、三星和英特尔，目前都已经有了完整的gaa制程路线图。

在与处于工艺技术前沿的台积电(TSM.US)竞争过程中，三星代工厂终于流片了使用其环栅 (GAA) 晶体管架构的 3nm 芯片。 这需要一套不同于台积电和 ...

那么所谓的GAA工艺又是什么呢？ GAA是Gate-All-Around的缩写，GAA即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的性能限制。

随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管),芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革,这给设计团队带来了一 ...